Texas Instrument

Doppel OPV, Bipolar, Ubmax +/-18V, fg 1Mhz, SR 0,7V/us, Gehäuse DIP14

Einfach OPV, Bipolar, Ubmax +/-18V, fg 0,1Mhz, SR 0,7V/us, Gehaeuse DIP8

Doppel OPV CMOS RtR, Rauscharm, Ubmax 2,7...16V, Gehaeuse DIP8, Hersteller TI

OPV, CMOS, Single Supply, Rauscharm, Ubmax +18V, fg 2MHZ, SR 3,6V/uS, Gehaeuse DIP8

Datenblatt:

Advanced Lin-CMOS Doppel-OPV, Rail to Rail, Rauscharm, min. Ub +/- 2,2V, max. Ub +/-8V, Gehaeuse DIP8

Spannungsreferenz, Gehäuse TO92

Datenblatt:

Vierfach OPV mit FET-Eingaengen,+/- 18V max, 100mW, 3MHz, SR 12V/us, Gehaeuse DIP14

Doppel OPV mit FET-Eingaengen , +/- 18V max, 100mW, 3MHz, SR 12V/us, Gehaeuse DIP8

Einfach OPV mit FET-Eingaengen , +/- 18V max, 100mW, 3MHz, SR 12V/us, Gehaeuse DIP8

Vierfach OPV mit FET-Eingaengen ,rauscharm, +/- 18V max, 75mW, 3MHz, SR 13V/us, Gehaeuse DIP14

Doppel OPV mit FET-Eingaengen , rauscharm, +/- 18V max, 75mW, 3MHz, SR 13V/us, Gehaeuse DIP8

Doppel OPV mit FET-Eingängen , rauscharm, +/- 18V max, 75mW, 3MHz, SR 13V/us, Gehäuse SOIC8